GIS局部放電會(huì)造成哪些危害？
GIS局部放電的缺陷主要有四種，
(1)固定缺陷。
(2) GIS腔體內(nèi)可以移動(dòng)的自由金屬微粒。
(3) 傳導(dǎo)部分接觸不良。
(4) 絕緣子制造時(shí)造成的內(nèi)部空隙和實(shí)驗(yàn)閃絡(luò)引起的表面痕跡，還包括或是因電極的表面粗糙或是來自制造時(shí)嵌入的金屬微粒。
主要危害是會(huì)逐步引起絕緣擊穿，導(dǎo)致安全事故。
拓展資料
gis局部放電特高頻檢測(cè)的儀器，最早進(jìn)入國(guó)內(nèi)的都是進(jìn)口產(chǎn)品，包括英國(guó)dms公司，當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)局放技術(shù)還不成熟的時(shí)候，dms最早進(jìn)入，由新加坡電力引入的。后來成為檢測(cè)gis局部放電的一種參考標(biāo)準(zhǔn)。
后來的德國(guó)pdsg公司的產(chǎn)品也進(jìn)入中國(guó)，此類產(chǎn)品主要用于實(shí)驗(yàn)室內(nèi)的研究，在現(xiàn)場(chǎng)使用需要很強(qiáng)的技術(shù)能力來操作。
上述是代表性的國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品，從目前gis局放檢測(cè)的發(fā)展來看，檢測(cè)gis需要兩種以上的方式，即特高頻和超聲波同時(shí)使用是有效的檢測(cè)方式。
國(guó)內(nèi)的生產(chǎn)廠家包括，廈門紅相公司、杭州西湖電子、上海華乘電氣等，從目前現(xiàn)場(chǎng)使用情況來看，在現(xiàn)場(chǎng)復(fù)雜的電力運(yùn)行環(huán)境中，有效的檢測(cè)和判斷分析gis的局放信號(hào)，上海華乘電氣的產(chǎn)品適合現(xiàn)場(chǎng)的復(fù)雜環(huán)境檢測(cè)，檢測(cè)的判斷準(zhǔn)確性比較高。甚至已經(jīng)超過國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品的性能。實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)比較多，適合于現(xiàn)實(shí)中的實(shí)際操作。
其他公司的產(chǎn)品也有各種代表，從現(xiàn)場(chǎng)的使用情況來看，都不盡相同，也有準(zhǔn)確度的差別。
